試題詳解

試卷：97年 - 97 地方政府特種考試_五等_電子工程：電子學大意#38801 | 科目：初等/五等/佐級◆電子學大意

試卷名稱：97年 - 97 地方政府特種考試_五等_電子工程：電子學大意#38801

年份：97年

科目：初等/五等/佐級◆電子學大意

39 當MOSFET工作於飽和區（saturation region）時，其I_D與V_GS的關係為何？（下式中Vt為MOSFET之臨限電壓（threshold voltage））

(A)I_D與V_GS幾乎無關

(B)I_D正比於V_GS

(C)I_D正比於（V_GS-V_t）

(D)I_D正比於（V_GS-V_t）²

正確答案：登入後查看