試題詳解

試卷：108年 - 10801 桃園捷運：電子學概論#79638 | 科目：捷運◆電子概論

試卷名稱：108年 - 10801 桃園捷運：電子學概論#79638

年份：108年

科目：捷運◆電子概論

40. 增強型 MOSFET 的結構因素會造成臨界電壓 VT值的變化，請問以下何者對其影響最大？
(A) 金屬導電層厚度
(B)半導體層的厚度
(C)二氧化矽的厚度
(D)金屬導電層的材質

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