試題詳解

5 如圖所示一矽場效電晶體（Si FET）元件的剖面結構，各層使用不同材料，圖中僅標示某假想製程厚 度，此電晶體的臨界電壓（threshold voltage）的絕對值為 |V_th| = 0.5 V 。V_D1 = 2 V，V_D2 = -2 V，V_D = 2 V， V_E = -2 V。若 V_E 由-2 V 增加到-3 V，試判斷此電晶體的臨界電壓的絕對值|V_th|如何變化？
(A) |V_th| 增加
(B) |V_th |減少
(C) |V_th |不受影響
(D) |V_th| 會受影響，但增加或減少由接面的功函數（work function, φ_f）決定