試題詳解

5 有一以矽材料所製的互補式金氧半場效電晶體（Si-CMOSFET）電路及輸入電壓 的波形如下所示，
，假設兩個電晶體 的特性參數一致，即通道導通臨界電壓（threshold voltage）的絕對值均為 |Vth| = 0.5 V，相同的轉導值（transconductance）與幾何參數，亦即 。試研判電晶體 QP 在時間 t1 最可能的工作模式？
(A)飽和模式（Saturation mode）
(B)線性模式（Linear mode）
(C)次臨界模式（Subthreshold mode） 
(D)截止模式（Cut-off mode）