5. 產生絕對乏興奮期(absolute refractory period)的原因是?
(A) 電壓管制型鈉離子通道(voltage-gated Na+
channel)的不活化
(B) 電壓管制型鈉離子通道(voltage-gated Na+
channel)的延長開啟
(C) 電壓管制型鉀離子通道(voltage-gated K+
channel)的不活化
(D) 電壓管制型鉀離子通道(voltage-gated K+
channel)的延長開啟
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統計: A(284), B(84), C(65), D(41), E(0) #1855729
統計: A(284), B(84), C(65), D(41), E(0) #1855729