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試題詳解

試卷：103年 - 103 初等考試_電子工程：電子學大意#35860 | 科目：初等/五等/佐級◆電子學大意

試卷資訊

試卷名稱：103年 - 103 初等考試_電子工程：電子學大意#35860

年份：103年

科目：初等/五等/佐級◆電子學大意

6 關於 MOSFET 電晶體之敘述，下列何者錯誤？
(A)PMOS 主要靠電洞導電
(B)增強型 NMOS 之臨界電壓為正值
(C)一般 NMOS 在使用時之源極（Source）電壓較汲極（Drain）電壓高
(D)NMOS 之基板（Substrate）為 P 型
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