阿摩線上測驗
6 下列何者對於快閃記憶體（flash memory）的敘述錯誤？
(A) NOR Flash 可對任意單獨位址隨機讀寫
(B) NOR Flash 通常用來儲存程式碼
(C) NAND Flash 有較高的位元密度
(D) NAND Flash 可對任意單獨位址隨機讀寫
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統計： A(118), B(116), C(68), D(182), E(0) #2910961
統計： A(118), B(116), C(68), D(182), E(0) #2910961
