6.有關鍺（Ge）半導體偵檢器與NaI（I的Kα＝28 keV）閃爍偵檢器，量測Cs-137之加馬能譜（光電峰出現在662 keV處），下列敘述何者正確？
(A)回散射（backscatter）峰出現之能量位置均高於康普吞邊緣（Compton edge）
(B)康普吞邊緣（Compton edge）出現之能量位置均相同（478 keV）
(C)因I原子序較Ge大，偵測材料體積相同時，Ge半導體偵檢器量測到的逃逸（escape）峰，將較NaI閃爍偵檢 器有較大豐度
(D)因I原子序較Ge大，Ge半導體偵檢器量測到的逃逸（escape）峰，將較NaI閃爍偵檢器之能量低

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統計： A(427), B(1214), C(827), D(375), E(0) #1943506

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#3214032
A) 套公式計算回散射hv'=184 k...
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#3641736
C選項中，豐度直譯英文是Abundanc...
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#3652228
你說的對，在662keV的輻射中根本不會...
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#4132455
C) (Iodine) escape p...


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#4758024
@Re_alFn_ItA16 即...

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#3658942
@piano_chien原來如此，這部分...
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#4138456
@小廢廢， 除了Single和Doubl...
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#3648700

@piano_chien

謝謝你的解釋，但我想再問一下，"半值層大小"與"可抓到互毀輻射的量"有什麼關係？

而題目說的是Cs-137核種，其光電峰是662keV，也和互毀輻射 (0.511兩道相反光子)無關

為什麼這樣會是NaI應該有較多豐度呢？

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#4134643
@Albert Wong 請問樓上，(D...
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#4769064

小廢廢


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