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試卷名稱：107年 - 108 漢翔航空工業股份有限公司_新進人員甄選_師級／電子電機A、電子電機B：電子學#79630
年份：107年
科目：電子學
60 增強型金氧半場效型電晶體（MOSFET）的放大電路如【圖 60】所示，若 MOSFET 的參數 K=0.2mA /V2 ，臨界電壓（threshold voltage）Vt=2V，忽略 Ci、Co 的電容效應，則此電路的 小信號電壓增益 vo/vi為：
(A)-2.8
(B)-3.8
(C)-4.8
(D)-5.8![\"5d945269828ee.jpg#s-169,213\"](\"https://img.yamol.tw/file/5d945269828ee.jpg#s-169,213\")
