7 有關反及閘快閃記憶體(NAND flash memory)敘述,下列何者錯誤?
(A)區塊(block)是比頁面(page)小的管理單位
(B)如果重複更新某個位址的內容,則該位址的材質容易永久損壞
(C)一般隨機讀取的時間比硬碟快
(D)移除電源後,資料仍可保留

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統計: A(188), B(105), C(43), D(163), E(0) #2687737

詳解 (共 2 筆)

#5123952
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#4714196
NAND Flash[編輯] 東芝在1...
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