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試題詳解

試卷：112年 - 112-1 專技高考_醫事放射師：放射線器材學（包括磁振學與超音波學）#113164 | 科目：放射線器材學（包括磁振學與超音波學）

試卷資訊

試卷名稱：112年 - 112-1 專技高考_醫事放射師：放射線器材學（包括磁振學與超音波學）#113164

年份：112年

科目：放射線器材學（包括磁振學與超音波學）

71.關於半導體偵檢器（semiconductor detector) 的特性，下列敘述何者錯誤？
(A)採用順向偏壓可以增大空乏區（depletion region)
(B)硼可作為 p 型半導體的受體（acceptor)
(C)磷可作為 n 型半導體的施體（donor)
(D)空乏區的游離電子往 n 型半導體移動
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詳解 (共 1 筆)

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