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試題詳解

試卷:100年 - 100 國家安全情報特種考試_五等_電子組:電子學大意#38816 | 科目:初等/五等/佐級◆電子學大意

試卷資訊

試卷名稱:100年 - 100 國家安全情報特種考試_五等_電子組:電子學大意#38816

年份:100年

科目:初等/五等/佐級◆電子學大意

8 要獲致高電流增益(Current Gain)之雙極性接面電晶體(Bipolar Junction Transistor),則下列何者 為正確?
(A)基極(base)很薄且為輕度摻雜(Lightly Doped)
(B)基極(base)很厚且為輕度摻雜(Lightly Doped)
(C)基極(base)很薄且為重度摻雜(Heavily Doped)
(D)基極(base)很厚且為重度摻雜(Heavily Doped)
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詳解 (共 1 筆)

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