阿摩線上測驗
登入
首頁
>
初等/五等/佐級◆電子學大意
>
112年 - 112 地方政府特種考試_五等_電子工程:電子學大意#118362
> 試題詳解
試題詳解
試卷:
112年 - 112 地方政府特種考試_五等_電子工程:電子學大意#118362 |
科目:
初等/五等/佐級◆電子學大意
試卷資訊
試卷名稱:
112年 - 112 地方政府特種考試_五等_電子工程:電子學大意#118362
年份:
112年
科目:
初等/五等/佐級◆電子學大意
8 有一 N 通道空乏型 MOSFET,其臨限電壓 V
T
=-2 V,汲極電壓 V
D
=2 V,源極電壓 V
S
=-1 V,則下列閘極電壓何者可使此 MOSFET 工作在飽和區?
(A) V
G
=-5 V
(B) V
G
=-2 V
(C) V
G
=5 V
(D) V
G
=2 V
正確答案:
登入後查看
詳解 (共 1 筆)
MoAI - 您的AI助手
B1 · 2025/11/01
推薦的詳解#7002780
未解鎖
1. 題目解析 本題要求找出一個可以使 ...
(共 1418 字,隱藏中)
前往觀看
1
0
私人筆記 (共 2 筆)
黃良友
2023/12/25
私人筆記#5663143
未解鎖
N通道DMOS-->飽和區 ...
(共 317 字,隱藏中)
前往觀看
3
0
Alice
2025/09/27
私人筆記#7463537
未解鎖
? 題目條件: 類型:N 通道空乏...
(共 476 字,隱藏中)
前往觀看
0
0