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試題詳解

試卷:112年 - 112 地方政府特種考試_五等_電子工程:電子學大意#118362 | 科目:初等/五等/佐級◆電子學大意

試卷資訊

試卷名稱:112年 - 112 地方政府特種考試_五等_電子工程:電子學大意#118362

年份:112年

科目:初等/五等/佐級◆電子學大意

8 有一 N 通道空乏型 MOSFET,其臨限電壓 VT =-2 V,汲極電壓 VD =2 V,源極電壓 VS =-1 V,則下列閘極電壓何者可使此 MOSFET 工作在飽和區?
(A) VG =-5 V
(B) VG =-2 V
(C) VG =5 V
(D) VG =2 V
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