8. 下列有關「半導體」製程之敘述，何者正確？
(A)乾式蝕刻比濕式蝕刻容易造成二氧化矽的過切問題
(B)蝕刻是將晶圓上未受光阻保護之氧化膜移除
(C)矽是半導體，如果摻雜硼或磷之後，就會變成導體
(D)微影製程通常是不需要經過光罩曝光就可以完成

答案：登入後查看
統計： A(207), B(1735), C(345), D(105), E(0) #2577608

詳解 (共 3 筆)

#4563761
乾式蝕刻(氣體）：透過電漿的解離，形成離...
(共 333 字，隱藏中）
前往觀看
19
0
#4668204
A)濕式蝕刻更容易過切C)矽半導體掺雜硼...
(共 62 字，隱藏中）
前往觀看
11
0
#6206202

(A)濕式較容易過切

(C)純矽為非導體，加入硼、磷後，變成半導體
(D)需要光罩
6
0

私人筆記 (共 2 筆)

私人筆記#2740882
未解鎖
製造-2.材料與加工(A)濕式蝕刻比乾式...
(共 112 字，隱藏中）
前往觀看
10
1
私人筆記#7532625
未解鎖
下列有關「半導體」製程之敘述，何者正確...
(共 189 字，隱藏中）
前往觀看
6
0