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申論題資訊

試卷:108年 - 108 公務升官等考試_簡任_電子工程、電信工程:高等電子電路學研究(包括類比與數位)#80478
科目:高等電子電路學
年份:108年
排序:0

題組內容

三、如圖 NPN 電晶體電路,偏壓於主動區時,其 VBE = 0.7 V,電流增益 β 為 100;如偏壓於飽和區時,VCE = 0.2 V。電路現操作於 VCC = 5 V, VEE = -5 V,R1同 R2皆為 4 kΩ,R3 = 4.3 kΩ,R4 = 4 kΩ 且 gm = Ic / 0.025 A/V, 試求:(每小題 10 分,共 30 分)5dca40bdd6444.jpg

申論題內容

⑴試分析此電晶體操作於飽和區或主動區。