三、如圖 NPN 電晶體電路,偏壓於主動區時,其 VBE = 0.7 V,電流增益 β 為 100;如偏壓於飽和區時,VCE = 0.2 V。電路現操作於 VCC = 5 V, VEE = -5 V,R1同 R2皆為 4 kΩ,R3 = 4.3 kΩ,R4 = 4 kΩ 且 gm = Ic / 0.025 A/V, 試求:(每小題 10 分,共 30 分)