申論題 - 阿摩線上測驗

申論題資訊

試卷：105年 - 105 高等考試_三級_電子工程：半導體工程#54457
科目：半導體工程
年份：105年
排序：0

題組內容

二、若有一理想 n 型矽半導體與一理想矽 pn 接面二極體，其元件結構如圖 2 所示。（每小題 10 分，共 20 分）

申論題內容

⑴請繪出此兩個元件於照光（光能量>矽能隙寬度）前與後的 I-V 特性曲線。