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構造地質學
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103年 - 103 高等考試_三級_地質：構造地質學#39516
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題組內容
一、請繪圖說明：（每小題 5 分，共 20 分）
autochthonous rocks
其他申論題
三、一個陡峭（abrupt）P+N 接面，NA = 1019/cm3、ND = 1017/cm3。求內建電位（built-in potential），以及未外接偏壓時的空乏區寬度（depletion width）。T = 300 K, kB = 8.62 ×10-5 eV/K, ni = 1.45 ×1010/cm3, εSi = 11.9, ε0 = 8.854 ×10-14 F/cm, q = 1.6 × 10-19 C。 計算空乏區寬度時可忽略 P 邊的空乏區。（20 分）
#117856
四、一個 N+PN 雙極性電晶體，其射極與基極的雜質濃度分別為 ND 與 NA，電洞與電子 的擴散長度分別為 Lp 與 Ln，基極中性區的厚度為 W。若電晶體處於順向作用區 （forward active），基極中性區靠射極側的邊緣被注入的電子濃度為 np(0)，而靠集 極側的電子濃度為 np0。假設電子的擴散長度 Ln>>W，電子的復合生命期為 τn、擴 散係數為 Dn。說明電子在基極中性區的傳導過程、分布的形式，並求電子貢獻的集 極電流密度 JC 以及基極電流密度 JB。（20 分）
#117857
五、說明離子佈植（ion implantation）的基本原理。以離子佈植植入雜質的方法與 擴散法比較有何優點？離子佈植後為何需要熱處理？說明離子佈植的通道效應 （channeling effect），舉出一種消除的方法。（15 分）
#117858
六、Si 的 SiO2 熱成長可用 Deal-Grove 模型來描述：tox2 + A tox = Bt，公式中 tox 為氧化層厚 度、t 為氧化時間、A 與 B 為相關之參數。以 1000˚C 做乾氧成長時，A = 0.165 μm、 B = 0.0117 μm2/hr。成長 10 小時，問 SiO2 的厚度。若 tox>>A，證明 SiO2 的成長速 率與 tox 成反比，並說明其物理意義。（15 分）
#117859
allochthonous rocks
#117861
klippe
#117862
fenster（window）
#117863
二、請說明沈積岩層內變形帶（deformation band）的特徵和成因。（10 分）
#117864
三、請根據伸張性和擠壓性的三軸岩石力學脆性破壞實驗以及莫耳包絡線（Mohr envelope），說明在張裂性和擠壓性地體構造環境下大陸地殼脆性變形強度的差異。 （20 分）
#117865
四、請說明上下斷坪（upper and lower flats）平行地層的簡單斷層彎曲褶皺（simple-step fault-bend fold）在不同演化階段的幾何形貌（包括褶皺軸面和彎曲的斷層面之間的 相交關係）。（25 分）
#117866
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