(二)比起一般降低溫之純鍺偵檢器有何優缺點？

(二)若有一個10μCi射源，其半衰期為15年，1990年製造，能量為0.6 MeV，分歧比是20%，純鍺偵檢器之絕對偵檢效率（absolute efficiency）於 0.6 MeV為2%，偵檢系統之無感時間顯示為8%，請問若測量此一射源 1 min，將獲得0.6 MeV全能峰之計數為若干？（1 Ci為射源每秒鐘衰變 3.7✕1010個核種。）