申論題

二、在半導體製造中，晶圓（silicon wafer）需要經過多道化學程序，如氧化、 蝕刻、摻雜與化學氣相沉積（Chemical Vapor Deposition, CVD）等，以形 成微米或奈米級電路結構。這些過程高度仰賴精密的化學反應與控制。 在一台單片式化學氣相沉積 （CVD）反應器中，以 SiH₄為前驅物於 700℃、 1 Torr 進行多晶矽沉積。假設：

 SiH₄進料流量=100 cm³/min（以標準狀況計，STP）

反應器中 SiH₄轉化率=20%

只考慮在晶圓上沉積（忽略腔體壁面損失）

200 mm 晶圓面積 A=314 cm²

反應：SiH₄ →Si+2H₂ 

矽密度 ρSi=2.33 g/cm³，矽摩爾質量=28.0855 g/mol

(二)若欲沉積 300 nm 厚度，需時間多久？