四、化學氣相沈積法常被用在電子工業中形成薄膜。常見的一個化學氣相沈 積的反應是以矽甲烷(SiH4)形成多晶矽薄膜,其反應之機制如下: 其中(g)表示氣相,ads 表示吸附相,s 表示固相。雙箭頭表示達到平衡。 根據實驗觀察,此一反應會受到氫氣的抑制。在 SiH4 濃度高時,反應對 於 SiH4 而言,為零級反應(zero order) ,而當 SiH4 濃度低時,反應對於 SiH4 而言,為一級(first order)反應。