申論題 - 阿摩線上測驗

申論題資訊

試卷：99年 - 99 專利商標審查特種考試_三等_光電工程：半導體製程#52308
科目：半導體製程
年份：99年
排序：0

三、

⑴在離子佈植過程中，由於高能離子撞擊進入半導體晶片內部，造成半導體晶格（lattice）受到損傷（damage），通常我們會將離子佈植後的半導體晶片進行熱處理。請說明使用快速熱處理（Rapid thermal processing）方式優於一般傳統的加熱爐方式之原因為何？（10 分）

詳解提供者：cth800102

時間較短，使摻雜擴散不易往四周擴散