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申論題資訊

試卷:104年 - 104 地方政府特種考試_三等_電子工程:半導體工程#35133
科目:半導體工程
年份:104年
排序:0

題組內容

一、

申論題內容

⑴對一室溫下低摻雜的 n 型半導體,假如溫度升高,請說明它的費米能階(Fermi Level)是偏近導帶還是偏離導帶?請說明原因。(10 分)