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申論題

試卷：104年 - 104 地方政府特種考試_三等_電子工程：半導體工程#35133
科目：半導體工程
年份：104年
排序：0

申論題資訊

試卷：104年 - 104 地方政府特種考試_三等_電子工程：半導體工程#35133
科目：半導體工程
年份：104年
排序：0

題組內容

三、

申論題內容

⑴為什麼在金氧半場效電晶體（MOSFET）的通道所計算的載子遷移率和一般半導 體材料（semiconductor material）量測的載子遷移率是不同的？請說明原因。（10 分）