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儀器分析
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104年 - 104年高等三級暨普通考高考三級_化學工程#29103
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題組內容
一、請解釋下列專有名詞：（每小題 5 分，共 15 分）
⑴雷射（Laser）
其他申論題
⑴ GC 常用的載流氣體（carrier gas）。（5 分）
#59616
⑵兩種 GC 偵測器：火焰離子偵測器（flame ionization detector, FID）及電子捕捉偵 測器（electron-capture detector, ECD）之原理和實際應用時之特性。（20 分）
#59617
四、質譜儀之構造主要分成五個部分：樣品導入系統、離子源（ion source）、質量分析 器（mass analyzer）、偵測器（detector）、訊號處理系統（signal processor）。請說 明離子源中電子撞擊法（electron- impact, EI）與化學離子源（chemical ionization, CI） 之作用機制與其測得質譜圖之差異性。（20 分）
#59618
五、何謂離子層析法（ion chromatography）？可用於那些檢驗？（10 分）
#59619
⑵ ICP-MS 之採樣錐（skimmer cone）
#59621
⑶法拉第杯偵測器（Faraday cup detector）
#59622
二、請說明固相萃取方法（solid-phase extraction, SPE）與其可能發生之干擾。（15 分）
#59623
三、請詳細說明四極柱質譜儀之原理與儀器設備。（20 分）
#59624
⑴樣品溶液以紫外－可見光光譜儀測定時，容易受那些參數之影響而改變吸收 值？（10 分）
#59625
⑵如果樣品溶液濃度過高時，會有所謂畢氏定理的實際限制（real limitations to Beer’s law），請詳加解釋之。（10 分）
#59626
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