題組內容

三、在半導體製程中，矽薄膜（silicon film）是由二氯甲矽烷（SiH2Cl2）在平面基板形 成，其反應式為 SiH2Cl2→Si+2HCl，r=k''Csilane，矽密度（ρsi）為 3 g/cm3 ，分子 量（Msi）為 32 g/mole，二氯甲矽烷濃度為 0.02 mole/cm3 。

⑵假設在此系統質傳速率很快，不會影響反應速率，當此反應速率常數為 k''=2×102 cm/sec 時，請問薄膜成長 0.01 cm 厚度需要多少時間？（10 分）