題組內容

二、

⑶對於 PECVD 製程中，以矽烷作為沉積氧 化矽之氣體源，當增加矽烷流量時，氧化矽薄膜之折射率會增加還是減少？原因為 何？但若是以 TEOS 作為沉積氧化矽之氣體源，為什麼當 TEOS 流量增加時，折射 率幾乎沒有變化？（10 分）