申論題 - 阿摩線上測驗

申論題資訊

試卷：97年 - 97 地方政府特種考試_三等_電子工程：半導體工程#39852
科目：半導體工程
年份：97年
排序：0

一、對一n型摻雜且室溫（300 K）下濃度為 1 × 10¹⁵ cm^-3的矽半導體，試畫出此半導體在低溫（如低於 77 K）與高溫（如高於 500 K）時的能帶圖，此能帶圖需包含費米能階與能隙的變化，並加以解釋所繪能帶圖之意義。（10 分）