一、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣閘雙極電晶體)具有高頻 率、高電壓、大電流,易於開關等優良性能,故在電力電子應用中日趨 重要,已廣泛應用於家電、交通與電網等系統。試說明 IGBT 的工作原 理,並就 IGBT 與功率 MOSFET(power MOSFET)在趨動方式(Drive method),輸入阻抗(input impedance),趨動功率以及操作頻率等方 面之優劣作一比較,說明理由。(15 分)