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申論題

試卷：100年 - 100 高等考試_三級_電子工程：半導體工程#39997
科目：半導體工程
年份：100年
排序：0

申論題資訊

試卷：100年 - 100 高等考試_三級_電子工程：半導體工程#39997
科目：半導體工程
年份：100年
排序：0

申論題內容

七、請列出兩種在矽（Si）基片上成長氧化層的方法，並簡述其成長原理及兩者成長膜 之性質差異。（15 分）