申論題 - 阿摩線上測驗

申論題資訊

試卷：99年 - 99 高等考試_三級_電子工程：半導體工程#40348
科目：半導體工程
年份：99年
排序：0

三、有一p-n接面，如果逆向偏壓 1V時候的電容值是 1 nF/cm²，請問總空乏區寬度是多少？（15 分）（提示：ε_r(Si) = 11.7，ε_o = 8.854×10^-14 F/cm）