三、考慮一個陡峭（abrupt）P+N接面，兩邊的雜質濃度分別為NA 與ND； NA＞＞ND。若接面處於平衡狀態，請由載子擴散、復合的觀點來說明接面空乏區（depletion region）、內建電場（built-in electric field）的生成機制，並指出內建電場的指向。若接面由內建電場產生的內建電位為Vbi，空乏區寬度為W；以空乏區近似法表出W與Vbi的關係式。半導體的介電係數為 ε，單位電荷為q。（20分）