二、一矽晶棒摻雜砷原子1016 atoms/cm3，請分析室溫之電子與電洞載子濃度，並畫出能帶中之費米能階。Note：ni for Si is 9.65✖ 109 /cm3。（12分）

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詳解提供者：hchungw

十、請畫出一金屬/氧化層/p-type半導體結構如圖(二)之平衡能帶圖，其中金屬電子親和力為qΦm，氧化物厚度d，氧化層電子親和力為qχi，p-type半導體電子親和力為qχ，功函數qΦs，其中qΦm ＞ qχ，並說明此能帶圖在三種不同電壓（V ＜ 0、V ＞ 0及V ≫ 0）作用時會產生那三種變化？（12分）

二、一矽晶棒摻雜砷原子10¹⁶ atoms/cm³，請分析室溫之電子與電洞載子濃度，並畫出能帶中之費米能階。Note：n_i for Si is 9.65✖ 10⁹ /cm³。（12分）

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二、一矽晶棒摻雜砷原子1016 atoms/cm3，請分析室溫之電子與電洞載子濃度， 並畫出能帶中之費米能階。Note：ni for Si is 9.65✖ 109 /cm3。（12分）

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二、一矽晶棒摻雜砷原子10¹⁶ atoms/cm³，請分析室溫之電子與電洞載子濃度，並畫出能帶中之費米能階。Note：n_i for Si is 9.65✖ 10⁹ /cm³。（12分）