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半導體工程
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110年 - 110 鐵路特種考試_高員三級_電子工程:半導體工程#101633
> 申論題
五、請畫出 PMOS 場效電晶體結構,並說明如何將此場效電晶體開啟(turn on) 與關閉(turn off) 。(15 分)
相關申論題
一、請說明四點探針量測半導體特性之架構並說明為何做此安排。(10 分)
#426626
二、在化學氣相沉積(CVD)方法中反應溫度與成長速率有那兩種關係反應 出其成長機制?請解釋此兩種之意義?又那一種為 CVD 成長較希望控 制之成長機制,為什麼?(15 分)
#426627
三、某 一 直 接 能 隙 ( 1.42 eV ) 之 化 合 物 半 導 體 平 衡 時 之 載 子 濃 度,照光時每 μsec 產生電子電洞對,如果少數載 子生命週期是 2 nsec,請計算 quasi-Fermi level,並畫出照光前後能隙 Fermi level 之變化。此材料之本質濃度為。(25 分)
#426628
四、請畫出 pn 同質接面之發光二極體(LED)平衡時與順向偏壓之能帶圖 (10 分),請說明發光區域主要在 LED 之何處並說明原因。(10 分)
#426629
六、為什麼在矽局部氧化形成時,氧化薄膜會向矽基板內生長?請計算其比 例(以未成長時之表面當參考位置)。(15 分)
#426631
五、隨著技術節點持續微縮,曝光技術亦不斷演進。請說明自曝光波長λ=248 nm KrF 以降,至鰭式場效電晶體(FinFET)時代,如何運用各種 不同的曝光技術與圖案化方法來實現更微小的電路圖案。(20 分)
#560352
(二)如何從汲/源極設計的角度來抑制短通道效應?並說明此方法可能導致的副作用。(12 分)
#560351
(一)請說明為何金氧半場效電晶體(MOSFET)的長通道與短通道元件之臨界電壓會有所不同。(8 分)
#560350
(二)請計算 t =0 秒時準費米能階相對於本質費米能階的能量差,並在能帶圖上標示出來。(10 分)
#560349
(一)在 t =0 秒時,多數載子和少數載子的濃度各為多少?(10 分)
#560348
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