五、HpGe 偵檢器與 Surface Barrier 偵檢器有何差異？並說明半導體偵檢器工作原理。（20 分）

(二)若此薄膜射源對 Am-241 的 α 粒子的射源效率是 0.5，對 Cl-36 的 β 粒子的射源效率是 0.8 ，且此比例計數器量測系統有非麻痺型（nonparalyzable）無感時間 10 μs，請問此薄膜射源中 Am-241 及 Cl-36 的活度各為幾 Bq？註：射源效率=（自射源表面射出的粒子數／射源內核種衰變產生的粒子數）。