八、請列出兩種在半導體基片上摻雜雜質（impurity）的方法，並簡述其原理及兩者摻雜之性質差異。（10 分）

二、在一均勻半導體材料中，其本質載子濃度（intrinsic carrier concentration）為ni、本質費米能階（intrinsic Fermi energy）為Ei、費米能階（Fermi energy）為EF，當絕對溫度為T，而Boltzmann常數為kB時，其自由電子（electron）濃度n為何？電洞（hole）濃度p為何？若此半導體材料為n型，其摻雜濃度ND為 1016/cm3而ni = 1.45 × 1010/cm3時，求電洞之濃度。（10 分）