申論題 - 阿摩線上測驗

申論題資訊

試卷：102年 - 102 高等考試_二級_電子工程：電子元件#44031
科目：電子元件
年份：102年
排序：0

四、⑴對於一金屬-氧化層-半導體的金氧半電容（MOS Capacitor）元件，若使用 p 型的基板，請畫出基板電荷對閘極電壓（Qsub versus VG）的關係圖，並指出累積區、空乏區與反轉區。（10 分）