四、⑴對於一金屬-氧化層-半導體的金氧半電容（MOS Capacitor）元件，若使用 p 型的基板，請畫出基板電荷對閘極電壓（Qsub versus VG）的關係圖，並指出累積區、空乏區與反轉區。（10 分）

五、⑴ 通常成長二氧化矽（ SiO2 ）或矽的氧化層薄膜的方式有熱氧化法（ Thermal Oxidation）中的乾氧化（Dry Oxidation）與濕氧化（Wet Oxidation），化學氣相沉積（ Chemical Vapor Deposition ），與電漿加強式化學氣相沉積（ Plasma- Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD）。若要成長應用於金氧半電晶體（MOSFET）的高品質二氧化矽薄膜，應該使用那一種氧化技術？請說明原因。（10 分）