申論題 - 阿摩線上測驗

申論題資訊

試卷：100年 - 100 地方政府特種考試_三等_電子工程：半導體工程#40097
科目：半導體工程
年份：100年
排序：0

申論題內容

四、在理想p-n接合面中，假設流入空乏區之電流等於流出之電流，p區與n區之摻雜濃度比值為N_A/N_D=5，電洞與電子之擴散係數（diffusion coefficient）比值為D_p/D_n=1/2，擴散長度（diffusion length）比值為L_p/L_n=1/3，請求出在順偏壓下空乏區內電洞與電子電流之比值Ip/In=？（20 分）