申論題 - 阿摩線上測驗

申論題資訊

試卷：102年 - 102 地方政府特種考試_三等_電子工程：半導體工程#39521
科目：半導體工程
年份：102年
排序：0

四、某半導體之能隙為 1 eV，p 型費米能階在價帶上方 0.3 eV，n 型費米能階在導帶下方 0.1 eV，請畫出結合成 p-n 接面後的能帶圖，並標示接面處的電場方向。又內建電位差（Build-in potential）是多少？（20 分）

詳解提供者：李維恩

繪圖略 (1-0.3)-0.1=0.6eV