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申論題資訊

試卷:99年 - 99 專利商標審查特種考試_三等_光電工程:半導體元件#46983
科目:半導體元件
年份:99年
排序:0

申論題內容

四、試證明n型非簡併(non-degenerate)半導體電子濃度分佈n(E)的最大值位於導帶最 低能位(Conduction-band minimum)Ec的上方kBT/2。(20 分)