申論題 - 阿摩線上測驗

申論題資訊

試卷：99年 - 99 專利商標審查特種考試_三等_光電工程：半導體製程#52308
科目：半導體製程
年份：99年
排序：0

題組內容

三、

申論題內容

⑵通常在離子佈植過程中，我們使用光阻來作為阻止離子佈植的區域；而在擴散過程中卻不使用光阻來作為阻止摻雜雜質擴散的區域。為什麼？（10 分）