題組內容

五、圖五電路中，已知MOSFET工作在飽和區（Saturation region），其臨界電壓為 Vt＝1 V，及物理參數為 k' n (W / L) ＝0.1 mA/V2；

⑵若iD＝0.8 mA，求所需要的vGS＝？及vDS,min＝？（10 分）