三、如圖三所示為一 CMOS 共源（CS）放大器，設各電晶體均偏壓於飽和區。電晶體 Q
1 之汲極飽和電流可示為 I
D = 1 × (V
GS1 − V
tn )
2 (mA) ，式中 V
tn 為 Q
1 之臨界電壓，其 值 為 V
tn = 0.6 V ； 電 晶 體 Q
2 與 Q
3 具 相 同 特 性 ， 其 飽 和 I
D 式 為 I
D = 400 × (V
SG3 − | V
tp | )
2 (μ A) ， 其 V
tp = −0.6 V 為 Q
2 、 Q
3 之 臨 界 電 壓 。 又 I
REF = 100 μA ，
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