⑶計畫特別暴露（planned special exposure）

⑶如果此偵檢器被當成電流型游離腔使用，在中子通量率為 1010 2 時所造成的飽 cm ⋅ s 和電流為多少安培？（5 分） atm ⋅ L 10 ［理想氣體常數 0.082 ； B (n,α)7Li 中子捕獲截面 4010 邦(b)；每次 10B (n,α)7Li mol ⋅ k 反應中有 2.8MeV 能量會損失在游離腔內，反應中產生一個離子對需消耗 35.6eV 的 1.128 能量；對於此反應的中子通量率與計數率的關係為 φ = × CR ，φ ：中子通量率， Nσ CR：計數率，N：原子數，σ ：截面］。