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100年 - 教育部受託辦理100年國立高中職教師甄選資訊科試題含答案#46627
> 申論題
題組內容
第二部分：綜合題（共 60 分）
9.某一電容器之電容量為20μF，若跨於電容兩端之瞬間電壓為3 V，則其瞬間儲存之能量為_____
相關申論題
1. 如圖所示電路中，R1 和R2 的消耗功率分別 23.7 W及 36.3 W。已知IS=1.25A，試求VS= _______
#159688
2.具有11 個狀態（state）的序向邏輯電路，最少需使用多少個正反器做記憶元件？______
#159689
3.如圖所示電路，二極體之順向導通壓降均為0.7 V，則Vo 為_____
#159690
4.如圖所示屬何種電路？ ______
#159691
5.矽二極體的逆向電阻會隨溫度增高而_____
#159692
6. PN接面二極體，若以接面處為界，在P型側空乏區內的電荷為____
#159693
7.在80x86系統中，使用如圖所示之邏輯電路作為定址解碼，則ROM的位址解碼範圍為何？_____
#159694
8.如圖所示，求此電路的輸入電阻R in 為_____
#159695
10.RLC 串聯電路中，R = 10 Ω，L = 10 mH，C = 50 μF，在接上交流電源時，發現電流較電壓超前45°，則電源之角 頻率為______
#159697
11. 如圖所示，若 V DD =20 V、 R1 = 6.5MΩ 、 R2 = 3.5MΩ 、 RD =1kΩ、RS=100Ω 、 K = 0.4 mA/ V 2、 V t =1 V ， 已知 2 ( -) ID= K(VGS -Vt)2 ，求VGS= ? (5分)
#159698
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