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研究所、轉學考(插大)-近代物理學
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113年 - 113 台灣聯合大學系統_碩士班招生考試_電機類:近代物理#137735
> 申論題
Problem17: (A) Write entire one dimensional Schrodinger's equation.
相關申論題
(B) Derive the time-dependent part of one dimensional Schrodinger's equation by variable separation method.
#564196
(C) Derive the time-independent (space) part of one dimensional Schrodinger's equation.
#564197
Problem 18: (A) Consider the Rutherford Hydrogen atom model as following figure, show that the total energy of e² hydrogen atom is
#564198
(B) Consider the Bohr Hydrogen atom model, assume that condition for orbit stability is h nλ = 2π . where .Show that the Bohr Hydrogen atom model's Energy levels is
#564199
(d) (5 %) If Si substrate is biased under 10 V. Please calculate the △VT.
#450005
(c) (5 %) What is the threshold voltage of this n-MOSFET?
#450004
(b) (5 %) What is the Flat-Band voltage if the trapped charges are considered?
#450003
(a) (5%) What is the Flat-Band voltage of this MOSFET without considering trapped charge effects (i.e. Qss = 0)?
#450002
(c) (6%) Please explain the electron flowing direction (e.g. from metal to Si) upon forming the M-S junction with interface conditions provided from both question (a) and (b).
#450001
(b) (6%) If a high density of surface states pin the Fermi level at 0.4 eV above the valence band maximum in this M-S junction interface. Please sketch its band diagram.
#450000
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