⑵畫出單一電晶體動態 DRAM 單元（dynamic RAM cell）的電路圖，包括字組線（word line）以及位元線（bit line），並簡要地說明為何這種 RAM 需要做復新（refresh）？（10 分）

四、圖四為一個串並（Series-Shunt）回授放大器電路，電路中 npn BJT 電晶體 Q1 與 Q2 的參數如下：β1=β2 = 100 ， = 10 mA/V ， = 10 kΩ ， = ∞ 。電路中， = 20 kΩ ， = 20 kΩ ， R1 = 2 kΩ ， R2= 18 kΩ 。請計算：電壓增益、輸入電阻與輸出電阻。