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115年 - 21400 金屬成形 丙級 工作項目 03:剪切 1-50(2026/01/13 更新)#136745(50題)
115年 - 21400 金屬成形 丙級 工作項目 02:識圖與製圖 101-154(2026/01/13 更新)#136744(54題)
115年 - 21400 金屬成形 丙級 工作項目 02:識圖與製圖 51-100(2026/01/13 更新)#136743(50題)
115年 - 21400 金屬成形 丙級 工作項目 02:識圖與製圖 1-50(2026/01/13 更新)#136742(50題)
115年 - 21400 金屬成形 丙級 工作項目 01:金屬板材料 1-37(2026/01/13 更新)#136741(37題)
115年 - 115-1 中國工業工程學會_工業工程師等相關證照考試:品質管理#136740(50題)
115年 - 115-1 中國工業工程學會_工業工程師等相關證照考試:人工智慧#136739(50題)
115年 - 115-1 中國工業工程學會_工業工程師等相關證照考試:設施規劃#136738(30題)
115年 - 115-1 中國工業工程學會_工業工程師等相關證照考試:生產與作業管理#136737(40題)
115年 - 21400 金屬成形 乙級 工作項目 07:表面處理 1-69(2026/01/12 更新)#136733(69題)
最新試題
25.正常化熱處理須先把鋼料加熱到高溫使組織變為 (A)雪明碳鐵 (B)沃斯田鐵 (C)麻田散鐵 (D)波來鐵
24.液壓千斤頂是利用何種原理所設計? (A)巴斯卡原理 (B)文氏管原理 (C)虹吸管原理 (D)慣性原理
23.下列何者不是沖切時造成毛邊太大之原因? (A)模具刃口損鈍 (B)模具安裝不當 (C)上下模間隙太大 (D)躲避角太小
最新申論題
27. 鍵角比較,請由大到小排列,全對才給分:NO2、NO2+、NO2-、NO3-、O3、SiO2(O-Si-O)、P4、SO2、SO3、SO32-、ClO3-
26. 晶格能(U0)是由氣體離子形成固體離子時,伴隨者的標準熱之變化,就是:M+(g) + X-(g) → MX(s),此反應永遠是放熱反應,因此U0總是為負值。晶格能不能直接測量,但可利用某些反應熱數據間接求得。其中最出名的即是Born-Haber循環。現有熱力學數據如下(所有能量單位均為kJ/mol): 畫出CaO(s)的Born-Haber循環,並求出CaO(s)的晶格能為何?
25. 速率常數k與活化能Ea(J/mol)的關係可表示為:k = c × 2-[Ea/(5.76T)],c為常數,T為絕對溫度。若有一化學反應,在500 K時加入某催化劑,其反應速率增快為未催化時的32倍,則此催化劑造成之活化能降低多少kJ/mol?
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台中大雅家教-睿智數學及英文家教,王瑞志老師
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提供中華電信英文線上課程
國中會考理化總複習
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本課程依據最新108課綱自然領域第二~四册理化科部份的內容,綜合各版本的實驗和範例所編撰而成,期盼九年級...
學士後中醫-生物
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◇ 採用最有效明瞭的心智圖,快速幫你建立腦中的生物地圖,複習不再沒有章法! ◇適合族群:初學者快速打底、...
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低能量雷射 講義
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第六章 低能量雷射
描述:
ㄧ、雷射基本物理學特性 二、雷射儀器組成與生理效應 三、低能量雷射治療 本主題共計 2 頁筆記
磁場治療 講義
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【矮袋鼠共筆】物理治療技術學|熱療學 筆記/題庫
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第七章 磁場治療
描述:
ㄧ、磁場效應與儀器設計 二、磁場臨床效果 本主題共計 1 頁筆記
水療 講義
課程:
【矮袋鼠共筆】物理治療技術學|熱療學 筆記/題庫
章節:
第八章 水療
描述:
ㄧ、水療的特性 二、水療設施 三、臨床應用 本主題共計 3 頁筆記
最新討論
23. 依據一百零五年《教育部國民及學前教育署補助辦理公私立 幼兒園輔導計畫作業原則》, 幼兒園如果想要建置合宜之教 保環境,實施正常化教學,應申請以下哪一項輔導計畫? (A)適性教保 (B)基礎輔導 (C)支持服務 (D)專業認證
28. In today’s global economy, it’s important for international companies to take into consideration how they can__________ their products to the local market. (A) elapse (B) veto (C) hinder (D) cater
44. 依110年內政部警政署強化查緝詐欺犯罪作業規定,為擴大情資來源,各警察機關應針對轄內特定行業對象加強情資布建,何者非屬之?(A)金融機構行員(B)房屋仲介業者(C)超商店員(D)計程車駕駛人
34. 如圖(二十一)所示放大電路,若MOSFET操作於飽和區,則此放大電路之輸入阻抗Ri 為何? (A)360 kΩ (B)240 kΩ (C)120 kΩ (D)80 kΩ
35. MOSFET之gm為何? (A)1 mA/V (B)1.8 mA/V (C)2.2 mA/V (D)2.5 mA/V
三、 簡答題1. 美中台關係的基礎「一法三公報」為何?