101年 - 101中華電信電信系統、電子學#93851

選擇題 (60)

17.若使用 CRC(cyclic redundancy check)編碼的方式來傳送一二位元序列 1101011，其生成多項式為 x⁴ +x ³ +1，則經 CRC 編碼後其傳送之序列為何？ (A)11010110000(B)11010110111(C) 11010111010 (D)11010111101

18.假設有 12 組不同的訊號，每一個訊號的頻寬都是 10KHz，若要將這些信號用 TDM 和 PAM 的方式多工調變 (multiplexing and modulation)並以傳輸線來傳送，其所需之最小頻寬為何？ (A)60KHz(B)120KHz(C) 240KHz (D)480KHz

19.下列之類比調變技術中，何者有最佳的功率使用效率(power efficiency)？ (A)DSB-SC(B)SSB-SC(C) VSB (D)FM

20.如果僅考慮 AWGN 通道的影響，下列何種調變技術在相同的 SNR 情形下，其符元錯誤率(probability of symbol error)最低？ (A)2-FSK(B)4-FSK(C) 8-FSK (D)16-FSK

21. 802.11 於 1997 年發表，下列何者非其所規範之實體層的使用傳輸技術？ (A)OFDM(B)DSSS(C) FHSS (D)Infrared

22. ATM 傳送方式是利用細胞(cell)，下列何者非 ATM 的傳輸優點？ (A)寡占式頻寬 (B)支援多種傳輸速率(C)非固定式長度細胞 (D)支援多種傳輸媒介

23.資料以分封交換方式來傳送時，系統可以採用 Datagram（資料元）及下列何種方式來傳送？ (A)細胞繼送(Cell Relay) (B)訊框繼送(Frame Relay) (C)電路交換(Circuit-Switching) (D)虛擬電路(Virtual Circuit)

24.當以市內電話撥打至手機時，這通電話的訊息會先透過公眾交換電話網路，傳送到某一裝置，然後此裝置再將這通電話轉到基地台，基地台再透過一個無線頻道將訊號傳到手機。請問此裝置為何？ (A)BSC(B)MSC(C) MTP (D)NOC

25.下列何項網路設備可以用來分割子網路？ (A)Repeater(B)L2 Switch(C) L3 Switch (D)Router

27.下列何種調變與編碼率的組合能傳送的實質資料量最大？ (A)QPSK 1/2 碼率(B)16QAM 2/3 碼率(C) 16QAM 3/4 碼率 (D)64QAM 1/3 碼率

28.下列何種通訊系統使用 OFDM 的技術？ (A)Bluetooth(B)GSM(C) IEEE 802.11a (D)IEEE 802.11b

29. GSM 系統是使用何種調變技術？ (A)ASK(B)BPSK(C) GMSK (D)64QAM

30.請問 60~108 KHz 的頻帶若使用 FDM 系統的架構，可分出幾個 4KHz 頻寬的通道？ (A)6(B)12(C) 18 (D)24

31.如【圖 31】所示之二極體截波器(clipper)，若輸入電壓 v_i為一振福±10 V 的三角波，V_B = 5 V，而二極體的導通電壓為 0.7 V，則輸出電壓 v_o 的最小值約為何？
(A)4.3 V (B) 5.7 V (C) -5.7 V (D)-9.3 V

32.在考慮歐利效應(Early effect)的 BJT 混合 p 型(hybrid- p)等效電路中，假設熱電壓(thermal voltage)與歐利電壓 (Early voltage)分別為 25 mV 與 50 V，且已知跨導(transconductance) g_m為 50 mA/V，則輸出電阻 r_o 為何？ (A)50 kO(B)40 kO(C) 25 kO (D)10 kO

33.當溫度上升時，下列何項 FET 參數亦隨之上升？ (A)載子遷移率(mobility)(B)MOSFET 的導電參數 (C) JFET 的跨導參數(transconductance parameter) (D)電荷載子碰撞頻率

34.一單級差分放大器(difference amplifier)在某一頻率的差模(differential-mode)增益為 20 dB、共模(common-mode) 增益為-10 dB，其在該頻率之共模拒斥比(common-mode rejection ratio, CMRR)為何？ (A)-200 dB(B)-2 dB(C) 10 dB (D)30 dB

35.一交流電壓的基本波(fundamental)振幅為 1，三次諧波(harmonic)與五次諧波分別為 0.4 與 0.3 ，其總諧波失真(total harmonic distortion, THD)為何？ (A)30 %(B)40 %(C) 50 % (D)70 %

36.矽半導體本質(Intrinsic)濃度原子／cm³，在密度為原子／cm³中，每 108個矽原子加入一個硼原子，則電子濃度應為多少電子／cm³？ (A)(B)(C) (D)

37.一半波整流電路，若輸入交流電壓為 110 伏特有效值，R_L的阻值為 4kO，求直流輸出電壓約為多少伏特？ (A)35(B)49.5(C) 60.5 (D)70

38.設計一具濾波電容 C 與負載 R_L之全波整流電路，其輸入信號為 Vi=120sin(2πx60t)，要求漣波電壓 V_r為 2 V，若 R_L=10kO，則濾波電容 C 至少應為多少？ (A)50 µF(B)100 µF(C) 150 µF (D)200 µF

39.某差動放大器的 CMRR 為 100dB，A_d為 100，當共模輸入電壓為 10mV 時，其輸出電壓為何？ (A)1 mV(B)100 µV(C) 10 µV (D)1 µV

40.三個MOS 元件 A、B、C，其閘極寬度(W)與長度(L)分別為 W/L=1µm/10µm, W/L=1µm/20µm, W/L=2µm/10µm, 其餘條件都相同，在相同操作電壓且處於飽和區內，請比較 I_D，g_m(transconductance)，r_o(汲極輸出電阻)和 f_T(截止頻率)關係為何？ (A)g_m(A 元件) ＜ g_m (B 元件)(B)r_o (B 元件) ＜ r_o (C 元件) (C) f_T (B 元件) ＜ f_T (C 元件) (D)I_D (A 元件) ＜ I_D(B 元件)

41.設計一具有交換電壓為電源電壓一半之 CMOS 反相器，假設 NMOS 與 PMOS 之臨界電壓且具有相同通道長度，而其移動率(mobility)，則 PMOS 與 NMOS 電晶體寬度的關係為何？ (A)(B)(C) (D)與電晶體寬度無關

42.如【圖 42】所示電路中，欲使 I_Z = 5mA，則 R 值應為若干？
(A)500 O (B) 1 kO (C) 1.5 kO (D)2 kO

43.在擴大機特性測試中，以 60Hz 正弦波通過一待測之擴大機，得一輸出波形 e(t)=sin377t+0.4sin754t+0.3sin1131t，則此擴大機之總諧波失真百分率為若干？ (A)50%(B)41%(C) 27% (D)13%

44. P 通道空乏型 MOSFET 之夾止電壓 = 3V，且閘極電壓為 6V、源極電壓為 5V 以及汲極電壓為 0V，則其工作於何種模式？ (A)崩潰模式 (B)夾止飽和區模式(C)歐姆區模式 (D)截止區模式

45.若 N 通道空乏型 MOSFET 工作於夾止飽和區，閘源極間電壓為 -2V，夾止電壓為 -5V，飽和電流，則汲極電流約為何？ (A)5 mA (B)3.5 mA (C) 2.25 mA (D) 0.9 mA

46.某 JFET 夾止電壓，若汲極電流為 2mA，則其閘-源極間電壓為何？ (A)4V(B)2V (C) -1V (D) -2V

47.某差動放大器之 CMRR= 60dB，其差模訊號增益為 200，則共模訊號增益為何？ (A)10(B) 2 (C) 0.2(D)0.04

48.單相二極體橋式全波整流器，交流輸入電壓 v_i = 20sin60 πtV ，則下列敘述何者正確？ (A)直流電壓頻率為 30Hz (B)直流電壓有效值為 14.1 V (C)直流電壓平均值為 14.1 V (D)二極體之逆向峰值電壓為 40 V

49. BJT 偏壓時若基-射極接面為逆偏，而基-集極接面為順偏，則下列敘述何者正確？ (A)BJT 耐壓及增益皆提高(B) BJT 耐壓及增益皆下降(C) BJT 耐壓提高且增益降低(D)BJT 耐壓降低且增益提高

50.一般 BJT 基極（B）、集極（C）及射極（E）之? 雜濃度大小依序為何？ (A)E ＞ C ＞ B (B) B ＞ C ＞ E(C) B ＞ E ＞ C (D) E ＞ B ＞ C

51.在一般 BJT 電流增益的頻率響應圖中，若直流增益為 100，且已知截止頻率(cut-off frequency)為 107 rad/sec，單位增益頻率(unity-gain frequency)為何？ (A)10⁵ rad/sec(B)10⁷ rad/sec(C) 10 ⁹ rad/sec (D)

52.矽(Si)的本質載子濃度(intrinsic carrier concentration)為，在同樣的溫度下，若受體(acceptor)濃度為，熱平衡下的電子濃度約為何？ (A)(B)(C) (D)

53.如【圖 53】所示之 NMOS 電路，若 v₁ 接地且 v₂ 接，則 v_O的準位為何？

(A)低準位 (B)高準位 (C)無法判別 (D)高、低準位兩者交換變化

54.在 741 運算放大器中有一補償電容跨接於第二級的電壓放大器，下列何者不會受該補償電容之影響？ (A)效率 (B)單位增益頻率(C)穩定度(D)電壓轉換率(slew rate)

55.有一 BJT 偏壓於順向主動區(forward-active region)，若集極(collector)電流 i_C = 2 mA、基極(base)電流 i_B = 20 µA，其共基極電流增益(common-base current gain)為何？ (A) (B) (C) 100 (D)101