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通信系統、電子學
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101年 - 101中華電信電信系統、電子學#93851
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試題詳解
試卷:
101年 - 101中華電信電信系統、電子學#93851 |
科目:
通信系統、電子學
試卷資訊
試卷名稱:
101年 - 101中華電信電信系統、電子學#93851
年份:
101年
科目:
通信系統、電子學
58.有一個 P 通道空乏型 MOSFET,其臨限電壓 V
t
=2V,假使其源極(source)接地而閘極(gate)接至+5V,欲使此元 件操作在飽和區(saturation),則汲極(drain)之最低電壓為何?
(A)7 V
(B)5 V
(C) 3 V
(D)2 V
正確答案:
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