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101年 - 101 地方政府特種考試_五等_電子工程：電子學大意#28930

科目：初等/五等/佐級◆電子學大意 | 年份：101年 | 選擇題數：40 | 申論題數：0

試卷資訊

所屬科目：初等/五等/佐級◆電子學大意

選擇題 (40)

1 如下圖所示之差動放大器，其輸出電壓Vo將與下列何種訊號成正比？ (A)V1 (B)V2 (C)V1＋V2 (D)V1－V2 .
2 如下圖之MOS差動放大器（Differential Amplifier）， Q1=Q 2 ，其臨界電壓（Threshold Voltage）v t = 0.5V ，爾利電壓（Early Voltage）VA→ ∞ 。當 VG1 =VG2 =0 時，若電晶體工作於飽和模式 （Saturation Mode），其汲極電流ID與閘源電壓 的關係為 ID =2(VGS-Vt)2  (mA)。則輸入之 共模電壓（Common-mode Voltage）VCM之最大值可為多大，而仍可維持電晶體工作於飽和模式？ (A) 0.5 V (B) 1 V (C) 1.5 V (D) 2 V.
3 在材料實驗室新領到 MOSFET IC 時，常見到此 IC 腳擺置在 IC 套管內，其主要目的是： (A)增加價值感 (B)證明它是新品 (C)避免因靜電而遭破壞 (D)增加美觀
4 在下列各選項中，那一個選項對MOS電晶體的臨界電壓（Threshold Voltage）Vt的影響最小：(A)通道的寬長比 W/L (B)氧化層的介電常數εαx (C)氧化層的厚度tox (D)半導體的雜質濃度 N
5 某 FET 工作在飽和區（Saturation Region），其 iD- VGS關係如下圖所示，則此 FET 為： (A)增強型 NMOS  (B)增強型 PMOS (C)空乏型 NMOS (D)空乏型 PMOS
6 如下圖所示之放大器，若電晶體操作於三極管區（Triode Region），下列何種調整方式可使電晶體進 入飽和區（Saturation Region）？ VDD (A)增加 R1 (B)增加 Vb (C)選用寬長比（W/L）較大之 MOSFET (D)增加 R2
7 如下圖電路，設二極體為理想二極體。則此電路的輸出電壓Vo為何？ (A) 5 V (B) 4 V (C) 3 V (D) 2 V
8 利用三用電錶電阻量測功能來測量二極體，無論測試棒如何接法，指針的指示值均為高值，則表示 此二極體的狀況最可能是： (A)正常 (B)短路 (C)斷路 (D)無法判斷
9 關於 P-N 接面二極體之敘述，下列何者錯誤？ (A) P 型區域為加入三價雜質 (B) N 型區中空乏區離子帶負電 (C)順向偏壓時擴散電容增加 (D)逆向偏壓時空乏電容減少
10 下列何者是形成 pn 接面位能障礙（Barrier）的主要原因？ (A)空乏區內的磁場 (B)空乏區內的電場 (C)空乏區內的電容 (D)空乏區內的電感
11 雙極性接面電晶體ICBO逆向電流受環境溫度之影響是： (A)溫度每下降 1℃時，則增加 1 倍 (B)溫度每上升 1℃時，則增加 1 倍 (C)溫度每下降 10℃時，則增加 1 倍 (D)溫度每上升 10℃時，則增加 1 倍
12 如下圖所示放大器，若電晶體操作於主動區（Forward Active Region）假設 C 為無窮大且忽略爾利效 應（Early Effect），Vi 為輸入，Vo 為輸出，下列敘述何者正確？ (A)該放大器為反相放大器 (B)增加 R1 則增益減少 (C)增加電流 Ib 可增加增益 (D)增加VCC可減少增益
13 如下圖所示電路，何者提供直流偏壓的負回授？ (A)RB1 (B)RB2 (C)RC (D)RE
14 當一BJT電晶體工作在主動模式（Active-Mode）時，IB、I B C、IE間之大小關係為何？ (A) IE >IC >IB(B) IC<IB <I E(C)  IE=IC =IB (D)IB <IE < IC
15 雙極性接面電晶體（BJT）中，下列那種電路組態其輸出阻抗最小？ (A)共基極組態 (B)共射極組態 (C)共集極組態 (D)射-基極組態
16 共射極（CE）放大器的高頻響應較差，其主要原因為： (A)爾利效應（Early Effect） (B)通導長度調變效應（Channel Length Modulation Effect） (C)溫度效應（Temperature Effect） (D)米勒效應（Miller Effect）
17 如下圖所示之電路，若BJT操作在主動區（Forward Active Region），轉導值(gm)為 10 mA/V，β = 40， 若忽略元件之輸出阻抗 (ro)，試求  Vo/V i =？ (A) 10/11 (B) 82/83 (C) 400 (D) 410
18 如下圖的共射（CE）放大器，設電晶體工作於主動模式（Active Mode），其小訊號參數 gm、 re、rπ 及輸出電阻ro 均為已知，各外加電容均極大。若電晶體之α ≅1,ro → ∞ ，則電壓增益 為： (A) gm RB (B) RC/ RB  (C)RC /  rπ (D) IRC /VT 
19 如下圖所示之理想運算放大器電路，其中 Ao = ∞ ，求輸出電壓為何？ (A)-2V (B)-6V (C)-10V (D)-12V
20 有一放大器電路如下圖所示，放大器 為理想的運算放大器，其輸出電壓範圍侷限在+10 V 與-10 V 之間，二極體 D1順向電壓VDO=0.7V 。若電阻 R1 = 1kΩ ，交流電源 V1 = 5V ，試問節點 C 的輸出 電壓VC 應落在下列何範圍內？  (A) 5.0V≤ VC (B) 4.5V≤VC < 5V(C) 4.0V≤VC < 4.5V (D) VC < 4.0V
21 下圖中電路的放大器為一理想運算放大器，此電路的輸入電阻為何？ (A) 10 kΩ (B) 30 kΩ (C) 60 kΩ (D) 80 kΩ
22 下圖中為一轉阻放大器，其電壓輸出 Vo  為何？(A)-2 V (B) 2 V (C)-5 V (D) 5 V
23 如下圖所示之電路，其 MOS 電晶體參數： μn Cox =0.5mA/V2 ， VTN=0.4V ， λ = 0， γ =0 ； 假如 ，v I = 3.3 V, φ = 3.3 V ，求準穩態（quasi steady-state）輸出電壓為何？ (A) 2.4 V (B) 2.9 V (C) 3.3 V (D) 3.6 V.
24 有一邏輯閘電路如下圖所示，其中數位邏輯閘使用整個電路相同的電源 VDD與接地，但並未顯示於 此電路圖中，而且輸入電壓大致以VDD/2 為高低準位的判斷界限。設 NOR 閘 U1、U2 的延遲時間τNOR 遠小於電阻 R 電容 C 所組成的時間常數τ RC = RC，今於 A 點輸入一脈波如下圖所示，其中 1 代表高準位，0 代表低準位，此脈波在第Ⅱ區的寬度t >>τ RC 。試研判針對輸出 Y 的波形何者描述 最為可能？ (A) Y 在第Ⅰ、Ⅲ區為穩定的低準位輸出 Ⅰ Ⅱ Ⅲ (B) Y 在第Ⅰ、Ⅲ區為穩定的高準位輸出 (C) Y 在第Ⅱ區為穩定的低準位輸出 (D) Y 在第Ⅱ區為穩定的高準位輸出
25 下圖電路為一個使用增強型 PMOS 及 NMOS 所組成之邏輯閘電路，請問此電路所實現之輸出 Y 為何？ (A)Y=(A+BC)D(B)Y=A(B+C) + D (C)Y=  (D)Y=
26 下圖 CMOS 邏輯閘的輸入端為 A 和 B，輸出 Y 以正邏輯表示為何？ (A) Y=AB (B) Y= A+B (C)Y = (D)Y=
27 有一BJT，其β=100，已知在室溫下熱電壓VT=25mV，IC=1mA，則該BJT之小訊號參數rπ值為： (A) 25Ω (B) 250Ω (C) 2.5kΩ (D) 25kΩ
28 在 BiCMOS 的數位電路中，使用 BJT 電晶體是基於它的那一個優點？ (A)低消耗功率 (B)高輸入阻抗 (C)寬雜訊邊界 (D)高電流驅動能力
29 下列那一種記憶體在儲存資料設定後不會再更改？ (A) ROM (B) DRAM (C) SRAM (D) Flash Memory
30 下圖為交換電容積分器電路（Switched-Capacitor Integrator），已知 U1為理想運算放大器，Φ1與Φ 2為 不重疊的雙相時脈（Nonoverlapping Two-Phase Clock），用來控制電晶體 的開關狀態。若 欲獲得反相輸出，試問 、 與C之時脈如何規劃？ (A) A =Φ 2 ； B =Φ1 ；C =Φ 2 (B) A =Φ 2 ； B =Φ 2 ；C =Φ1 (C)A =Φ1 ； B =Φ 2 ；C =Φ 2 (D) A =Φ1 ； B =Φ1 ；C =Φ 2
31 一維持工作於飽和模式（Saturation Mode）的MOSFET，若其過驅電壓（Overdrive Voltage）VOV增為兩 倍，則其汲極電流ID會如何變化？ (A)增為 4 倍 (B)增為 2 倍 (C)減為一半 (D)減為四分之一
32 下圖中高通濾波器運算放大器電路， R1 = 20 kΩ 下，其高頻增益為 15，低頻響應之角頻率 (ω) 為 5×103 rad/s，試求 R2及C 值為何？ (A) R2 = 280 kΩ ，C = 10nF (B) R2 = 300 kΩ ， C= 10nF (C) R2 = 280 kΩ ， C =10pF (D) R2 = 300 kΩ ，C = 10pF
33 如下圖所示之理想運算放大器振盪電路，L =1mH，C1 = C2 = 30pF，若不考慮 對回授網路之負載 效應，當電路振盪時其振盪頻率為何？ (A) 0.6 MHz (B) 0.9 MHz (C) 1.3 MHz (D) 1.9 MHz
34 下圖振盪器電路中，若 R1=100 kΩ 、R2 = 200 kΩ 、 R3 =100 kΩ 及C=1nF ，則振盪頻率約為多少？ (A) 530 Hz (B) 1.5 kHz (C) 5 kHz (D) 10 kHz 
35 如下圖所示之電路，假設 BJT 電晶體操作在順向主動區， IC = 0.838mA， VT = 26 mV，β=100 ， Cπ = 24pF，Cμ = 3pF ，忽略爾利（Early）效應以及其它電容效應，求輸入端之-3 dB 頻率為何？ (A) 123 MHz (B) 223 MHz (C) 323 MHz (D) 423 MHz
36 如下圖所示之電路，假設 BJT 電晶體操作在順向主動區，忽略爾利（Early）效應與元件內之極間電容 效應，假使此 BJT 之轉導（transconductance）為 70 mA/V， β =100 ，求此電路之轉折（corner）頻 率為何？ (A) 131 Hz (B) 231 Hz (C) 331 Hz (D) 431 Hz
37 有一放大器電路的轉移函數（Transfer Function）F(s) 如下所示，其中 s= jω = j2πf ： 試問此轉移函數可能的頻率響應特性為何？ (A)高通響應（High-Pass Response） (B)低通響應（Low-Pass Response） (C)帶通響應（Band-Pass Response） (D)帶斥響應（Band-Reject Response）
38 下圖中 R1 =1 kΩ、 R2 =1 kΩ 、C1 = 1μF 。則此電路之 -3 分貝頻率約為多少？ (A) 40 Hz  (B) 80 Hz (C) 120 Hz (D) 160 Hz
39 如下圖為一 MOSFET 共源極架構放大器，下列何者是其高-3 dB 頻率？  (A) (B) (C) (D)
40 如下圖所示之電路，若MOSFET操作在飽和區（Saturation Region）且轉導值(gm) 為 1 mA / V。若忽 略元件之輸出阻抗(ro) ，Vo 為Vo+ 及Vo-間之壓差， Vi為Vi+及Vi-間之壓差，試求Vo / Vi =？ (A) 10/3 (B) 20/3 (C) 5 (D) 10

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